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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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陳偉榮力爭(zhēng)上游
中國(guó)彩電業(yè)雖然輝煌，但是上游關(guān)鍵元器件一直掌握在國(guó)外企業(yè)手中，這是一個(gè)巨大的商機(jī)?？导汛罄嘘悅s辭職創(chuàng)立宇陽(yáng)科技，目前國(guó)內(nèi)只有宇陽(yáng)可以做0201的MLCC。
2008-09-23
陳偉榮 宇陽(yáng) MLCC
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影響中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的矛盾
目前，中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的主要矛盾依然突出，成為影響產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的絆腳石，制約了國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的進(jìn)一步提升。
2008-09-22
電子信息產(chǎn)業(yè)
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2008年我國(guó)線束發(fā)展趨勢(shì)
由于現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，線束工業(yè)呈現(xiàn)快速發(fā)展態(tài)勢(shì)。隨著許多合資企業(yè)的紛紛涌現(xiàn)，我國(guó)可望成為線束的世界級(jí)制造中心。
2008-09-19
通信 IT 消費(fèi)電子 線束
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通威股份永祥多晶硅項(xiàng)目于近期正式投產(chǎn)
通威股份（600438）公告，公司控股子公司四川永祥股份有限公司的全資子公司四川永祥多晶硅有限公司800噸多晶硅項(xiàng)目經(jīng)過(guò)8月試生產(chǎn)已于近期正式投產(chǎn)。
2008-09-19
多晶硅
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電子元器件：業(yè)績(jī)下滑趨勢(shì)進(jìn)一步明確
上半年我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)：上半年我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出產(chǎn)業(yè)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整初見成效，市場(chǎng)銷售良好等特點(diǎn)。2008年1-6月，電子信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入26579.6億元，同比增長(zhǎng)21.9%，實(shí)現(xiàn)工業(yè)增加值5388.6億元，同比增長(zhǎng)24.1%，增速同比提高6.5個(gè)百分點(diǎn)，利稅同比增長(zhǎng)33.5%。...
2008-09-18
光學(xué)器件 電聲器件 電子元器件
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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Si500系列：芯科全硅振蕩器 欲全面取代石英振蕩器
9月10日消息，高性能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司, Nasdaq: SLAB)發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器，以此進(jìn)入消費(fèi)性定時(shí)市場(chǎng)，新產(chǎn)品不僅交貨時(shí)間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。
2008-09-11
Si500 硅振蕩器
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臺(tái)資PCB手機(jī)板廠上半年業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳
2008上半年受到匯兌損失、淡季及原材料價(jià)格高漲沖擊，臺(tái)灣印制電路板(PCB)四大手機(jī)板廠包括華通、欣興、楠梓電及耀華等上半年業(yè)績(jī)表現(xiàn)不佳，尤其華通及楠梓電呈現(xiàn)虧損。
2008-09-10
PCB手機(jī)板
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