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安森美發(fā)布垂直GaN,突破AI與電氣化能效瓶頸

發(fā)布時間:2025-10-31 來源:轉載 責任編輯:lily


【導讀】安森美發(fā)布垂直氮化鎵功率半導體,采用獨家GaN-on-GaN技術,實現(xiàn)電流垂直導通。新品支持更高工作電壓與更快開關頻率,功耗降低近50%,體積更小。該技術面向AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源等領域,助力提升系統(tǒng)能效與功率密度,現(xiàn)已向客戶提供樣品。


安森美發(fā)布垂直氮化鎵(GaN)半導體:為人工智能(AI)與電氣化領域

帶來突破性技術

 

安森美基于全新GaN-on-GaN技術,其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿

 

核心摘要

隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體,能實現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關頻率,助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車(EV)、可再生能源,以及航空航天等領域實現(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。

 

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要點

· 專有的GaN-on-GaN技術實現(xiàn)更高壓垂直電流導通,支持更快的開關速度和更緊湊的設計。

· 這一突破性方案降低能量損耗和熱量,損耗減少近50%。

· 由安森美在紐約錫拉丘茲的研發(fā)團隊開發(fā),涵蓋基礎工藝、器件架構、制造及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項專利。

· 安森美向早期客戶提供700V1,200V器件樣品。

 

安森美的垂直GaN技術是一項突破性的功率半導體技術,為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和耐用性方面的新標桿。該技術在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造,并已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、器件設計、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項全球專利。

 

“垂直GaN是顛覆行業(yè)格局的技術突破,鞏固了安森美在能效與創(chuàng)新領域的領先地位。隨著電氣化和人工智能重塑產(chǎn)業(yè)格局,能效已成為衡量進步的新標桿。我們的電源產(chǎn)品組合中新增垂直GaN技術,賦能客戶突破性能邊界,是打造更具競爭力產(chǎn)品的理想選擇。安森美這一突破,正開創(chuàng)以能效與功率密度為制勝關鍵的未來。”安森美企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁 Dinesh Ramanathan說。

 

世界正步入一個全新的時代,能源正成為技術進步的關鍵制約因素。從電動汽車和可再生能源,到如今甚至超過一些城市耗電量的AI數(shù)據(jù)中心,電力需求的增長速度遠超我們高效發(fā)電與輸電的能力。如今,每一瓦的節(jié)能都至關重要。

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安森美的垂直氮化鎵技術采用單芯片設計,可應對1,200伏及以上高壓,高頻開關大電流,能效卓越?;谠摷夹g構建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗,同時因其更高的工作頻率,因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且,與目前市售的橫向GaN器件相比,垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。因此,安森美的垂直氮化鎵尤為適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關鍵大功率應用領域,包括:

· AI數(shù)據(jù)中心:減少元器件數(shù)量,提高AI計算系統(tǒng)800V DC-DC轉換器的功率密度,顯著優(yōu)化單機架成本

· 電動汽車:打造更小、更輕、更高效的逆變器,提升電動汽車續(xù)航里程

· 充電基礎設施:實現(xiàn)更快、更小、更穩(wěn)健的充電設備

· 可再生能源:提升太陽能和風能逆變器的電壓處理能力,降低能量損耗

· 儲能系統(tǒng)(ESS):為電池變流器和微電網(wǎng)提供快速、高效、高密度的雙向供電

· 工業(yè)自動化:開發(fā)體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機驅動和機器人系統(tǒng)

· 航空航天:打造性能更強、穩(wěn)健性更高、設計更緊湊的方案

 

目前市售的大多數(shù)GaN器件都采用非氮化鎵襯底,主要是硅或藍寶石襯底。對于超高壓器件,安森美的垂直氮化鎵(vGaN)采用GaN-on-GaN技術,使電流能夠垂直流過芯片,而不是沿表面橫向流動。這設計可實現(xiàn)更高的功率密度、更優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,且在極端條件下性能依舊穩(wěn)健。憑借這些優(yōu)勢,vGaN全面超越了硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)和藍寶石基氮化鎵(GaN-on-sapphire)器件,提供更高的耐壓能力、開關頻率、可靠性以及耐用性。這有助于開發(fā)更小、更輕便、更高效的電源系統(tǒng),同時降低散熱需求和整體系統(tǒng)成本。主要優(yōu)勢包括:

更高的功率密度:垂直GaN能以更小的尺寸承受更高的電壓和更大的電流

更高的能效:在功率轉換過程中減少能量損耗,降低發(fā)熱量和散熱成本

系統(tǒng)更緊湊:更高的開關頻率能縮減電容器和電感器等無源元件的尺寸

 

供貨

 

目前安森美向早期客戶提供樣品。

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